Nou 美國 Veeco - 全自動原子層沉積(ALD)系統
美國 Veeco - 全自動原子層沉積(ALD)系統

 

Veeco (Cambridge Nanotech)，2003年成立於哈佛大學，05年搬到Boston並生產Thermal ALD - Savannah，之後生產Plasma ALD – Fuji、大量生產ALD-Phoenix。 2017年被Veeco收購，並更新了Fiji XT。至今為止，Veeco在ALD設備已有十多年經驗，全球已安裝五百多台ALD設備。

 

 

 

 

 

 

 

ALD應用於能源領域：

 

 

ALD製成的金屬氧化物(如SnO2)，可在一定程度上阻止氧氣滲入吸收層，

進而提高串聯裝置的空氣穩定性

 

 

ALD 製成的SnO2，消除了Si上懸空鍵的缺陷，

有助於防止載子表面複合

 

 

Sequence for Li7La3Zr2O12 with insitu QCM analysis

 

 

 

TEM cross-section on ZnO nanowire

 

 

經過ALD摻雜生長薄膜和退火後，形成了立方體LLZO

 

 

 

Aging at 38˚C / 85%RH of Al2O3 films (Ca px. after 1200h)

 

 

 

Change in optical transmission over 3 yrs for 25nm Al2O3 on PEN (WVTR ~1E-5)

 

應用於OLED裝置的鈍化層。

Savannah具備在較低溫度下沉積Al2O3的能力

 

 

  應用於MOE/DOE的製備，得益於ALD的自限性，可以得到優秀的微透鏡結構

 

 

 
 
Savannah G2和Fiji G2均具有在低溫下沉積薄膜的優異性能。
下圖為25˚C下使用PEALD沉積Al2O3
 
 

Thickness for Al2O3 vs T.

 

PEALD Al2O3 on 3D HgCdTe trench

 

200mm 9-point GPC map
TiO2[Å/cycle]

 

 

 

PE-ALD TiO2 100˚C
Thickness uniformity
200mm < 1.6% (1-sigma)
150mm < 0.9% (1-sigma)
Refractive Index (633 nm) = 2.424

 

 

 

Savannah G2和Fiji G2生長的薄膜具有優異的均勻性

 

 

 

 

200mm 9-point GPC map
TiN [Å/cycle]

 

PE-ALD TiN 270˚C
Film thickness uniformity
200mm < 2.0% (1σ)
150mm < 1.0% (1σ)

 

 

美國 Veeco - 全自動原子層沉積(ALD)系統

  • 型 號 Veeco, USA - Atomic Layer Deposition (ALD) Systems
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