|
微波等離子清洗可以清洗到樣品的每一個部位，實現清洗過程的自由基不會被障礙物所阻擋，並且不會改變表面的粗糙度提高良率和可靠性:
• 芯片鍵合
• 引線鍵合
• 封裝
• 倒裝芯片充膠
• 焊錫球鍵合
概述：
• 服務於半導體器件、晶圓製造並可與工廠MES系統通訊；
• 系統裝備獨特的陣列微波等離子體高功率電源，均勻性；
• 模塊化平臺可供 200mm(8”)或300mm(12”)晶圓使用；
• 晶圓片存儲可採用cassette和foup，且使用機械標準接口SMIF
• 主要氣體爲氧。在真空腔室中受高頻及微波能量作用，電離產生氧離子、遊離態氧原子、氧分子和電子等混合的等離子體，其中具有強氧化能力的遊離態氧原子在高頻電壓作用下與光刻膠膜反應生成CO2和H2O，生成的CO2和H2O隨即被抽走。
技術參數：
• 工藝腔體爲鋁 • 3軸機械手臂
• 最大晶圓尺寸300mm
• 最大功率2000w
• 等離子體產生陣列微波源(2.45 GHz)
• 終端檢測，光電發射，等離子體驗證
• 系統控制基於PC控制器，17寸彩色觸屏屏幕，圖形用戶界面
• 操作系統QNX實時平臺，程序功能手動或自動操作
• 用戶密碼，多種recipe設置
• 過程跟蹤實時監控，屏幕顯示圖表，數據記錄，工藝數據導出，接口 以太網，USB, RS23接口
• 晶圓產量:35-80片/小時，視工藝而定。
• Etch刻蝕溫度範圍:100-280℃
|
對比與其他框架和基板片式處理等離子系統，該設備是世界上唯一一個單腔體支持片尺寸轉換，運輸和處理並提升了3倍UPH的設備。該系統針對大批量的芯片製造商在引線鍵合前塑封前、倒裝片底部填充前等應用中提升收率和可靠性。
產量方面的業界新標準:
• 高效率
• 支持 100x300mm 框架
• 最高UPH達到900 strips/Hr提高良率和可靠性:
概述：
• 服務於半導體器件、晶圓製造並可與工廠MES系統通訊；
• 系統裝備獨特的陣列微波等離子體高功率電源，均勻性；
• 模塊化平臺可供 200mm(8”)或300mm(12”)晶圓使用；
• 晶圓片存儲可採用cassette和foup且使用機械標準接口SMIF；
技術參數：
• 工藝腔體爲鋁
• 3軸機械手臂
• 最大晶圓尺寸300mm
• 最大功率2000w
• 等離子體產生陣列微波源(2.45 GHz)
• 終端檢測，光電發射，等離子體驗證
• 系統控制基於PC控制器，17寸彩色觸屏屏幕，圖形用戶界面
• 操作系統QNX實時平臺，程序功能手動或自動操作
• 用戶密碼，多種recipe設置
• 過程跟蹤實時監控，屏幕顯示圖表，數據記錄，工藝數據導出，接口以 太網，USB, RS232接口
• 晶圓產量:35-80片/小時，視工藝而定。
• Etch刻蝕溫度範圍:100-280℃
|
