美國 Veeco - 全自動原子層沉積(ALD)系統
美國 Veeco - 全自動原子層沉積(ALD)系統

Veeco (Cambridge Nanotech)，2003年成立於哈佛大學，05年搬到Boston並生產Thermal ALD - Savannah，之後生產Plasma ALD – Fuji、大量生產ALD-Phoenix。 2017年被Veeco收購，並更新了Fiji XT。至今為止，Veeco在ALD設備已有十多年經驗，全球已安裝五百多台ALD設備。

 

 

Veeco ALD 設備主要分爲以下三種型號：

Savannah

Savannah G2 ALD

Fiji G2 Plasma ALD

Phoenix G4 ALD System

 

ALD應用於能源領域：

 

 

ALD製成的金屬氧化物(如SnO2)，可在一定程度上阻止氧氣滲入吸收層，

進而提高串聯裝置的空氣穩定性

 

 

ALD 製成的Al2O3，消除了Si上懸空鍵的缺陷，有助於防止載流子表面複合

Sequence for Li7La3Zr2O12 with insitu QCM analysis

 

 

TEM cross-section on ZnO nanowire

 

 

經過ALD摻雜生長薄膜和退火後，形成了立方體LLZO

 

Aging at 38˚C / 85%RH of Al2O3 films (Ca px. after 1200h)

 

 

Change in optical transmission over 3 yrs for 25nm Al2O3 on PEN (WVTR ~1E-5)

 

 

應用於OLED裝置的鈍化層。 Savannah具備在較低溫度下沉積Al2O3的能力

  應用於MOE/DOE的製備，得益於ALD的自限性，可以得到優秀的微透鏡結構

 

 

 
Savannah G2和Fiji G2均具有在低溫下沉積薄膜的優異性能。
下圖為25˚C下使用PEALD沉積Al2O3
 
 

Thickness for Al2O3 vs T.

 

PEALD Al2O3 on 3D HgCdTe trench

 
200mm 9-point GPC map
TiO2[Å/cycle]

 

 

PE-ALD TiO2 100˚C
Thickness uniformity
200mm < 1.6% (1-sigma)
150mm < 0.9% (1-sigma)
Refractive Index (633 nm) = 2.424

 

 

 

Savannah G2和Fiji G2生長的薄膜具有優異的均勻性

 

 

 
200mm 9-point GPC map
TiN [Å/cycle]

 

PE-ALD TiN 270˚C
Film thickness uniformity
200mm < 2.0% (1σ)
150mm < 1.0% (1σ)

 

 

美國 Veeco - 全自動原子層沉積(ALD)系統

  • 型 號 Veeco, USA - Atomic Layer Deposition (ALD) Systems
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